本站9月2日消息，HBM高帶寬內(nèi)存在AI時代愈發(fā)重要，價值不輸高性能GPU本身，也是當前內(nèi)存技術(shù)的制高點，目前生產(chǎn)主要集中在韓國SK海力士、三星及美國的美光公司手中。
國內(nèi)的存儲芯片企業(yè)一方面在擴增產(chǎn)能，一方面也在加快從DDR4到DDR5的技術(shù)升級，面對HBM內(nèi)存當然也不會錯過機會，韓國ZDNet Korea報道稱長江存儲YMTC正在聯(lián)合長鑫存儲CXMT合作研發(fā)HBM3內(nèi)存。
兩家分家是國內(nèi)最大的閃存、內(nèi)存芯片廠商，報道稱最快今年底雙方就可能訂購針對HBM的研發(fā)設(shè)備。
此前長鑫存儲研發(fā)過HBM2內(nèi)存，但HBM3及之后的內(nèi)存對芯片堆棧的要求更高，而長江存儲在閃存研發(fā)中積累了豐厚的經(jīng)驗，其Xtacking技術(shù)可以將芯片電路混合鍵合起來。
該技術(shù)已經(jīng)問世5年，長江存儲生產(chǎn)的3D閃存已經(jīng)大量應(yīng)用，已經(jīng)量產(chǎn)了270層堆棧的3D閃存，也是全球主要的混合鍵合專利持有者，2017到2024年間披露的專利數(shù)超過119項，比三星的85項還多，目前還在持續(xù)增加中。
目前這兩家公司還沒有回應(yīng)這一傳聞，但不論是合作研發(fā)還是自己研發(fā)，國產(chǎn)的HBM3e內(nèi)存最快今年獲得認證，2年內(nèi)開始生產(chǎn)，未來這一市場不會再被美國韓國公司壟斷了。
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