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美國投行給中國光刻機落后ASML 20年原因:缺乏制造先進光刻掃描儀能力

本站9月3日消息,昨天美國知名的投行高盛給出觀點稱,中國先進芯片制造業落后西方技術20年。

投資銀行高盛認為,中國光刻機公司至少落后美國同行20年。光刻技術是半導體制造的幾個環節之一,也是阻礙中國制造高端芯片的唯一瓶頸。最先進的光刻機由荷蘭公司ASML制造,由于其依賴美國原產的零部件,美國政府有權限制其對華銷售。

在高盛看來,美國對中芯國際施加制裁,限制其采購極紫外 (EUV) 芯片制造光刻機,這意味著中芯國際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產7nm芯片。

這份報告也是引發了關注,隨后他們也給出了上述觀點的核心原因,中國缺乏制造先進光刻掃描儀的能力,因為它們需要的零部件在全球范圍內生產,主要在美國和歐洲。

光刻是芯片制造工藝中的幾個步驟之一。它涉及將芯片設計從光掩模轉移到硅晶圓上。高端設備,例如ASML的EUV和高數值孔徑EUV掃描儀,能夠在硅晶圓上轉移更小的電路圖案,從而提高芯片性能。圖案轉移后,會進行蝕刻,形成最終布局,并在整個制造過程中沉積其他材料并清潔晶圓。

因此,光刻技術對于在晶圓上復制精細電路至關重要,這意味著光刻設備是芯片制造過程中的瓶頸。

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